拟募资295亿元、刷新2026年以来A股大IPO记录的国产DRAM龙头长鑫科技常州塑料挤出机，进入上市倒计时。
7月9日凌晨，长鑫科技露出科创板上市招股意向书，详情7月16日启动网上申购，IPO进度进入后倒计时。
AI算力爆发带火了整条存储赛说念，也让长鑫科技迎来了改写民众DRAM产业神气的历史窗口。但就在其登陆本钱市集的关隘，三星、SK海力士两大韩系巨头已联手抛出限制空前的扩产规划，巨头重兵压境之下，这国产存储龙头的解围之路备受市集关怀。
IPO时间表落定
长鑫科技露出了新的上市刊行时间表。
据公告，公司将于7月13日进行初步询价，7月15日刊登刊行公告，7月16日慎重启动申购，7月20日完成缴款。有证券行业东说念主士对《中原时报》记者示意，长鑫科技概况率将于7月下旬慎重在科创板挂。
招股书认知，本次IPO长鑫科技拟开动公开刊行股票66.88亿股，占刊行后总股本的比例约为10（额配售采选权益用前），一起为公开刊行新股，不设老股转让。本次刊行授予保荐机构中金公司不外开动刊行股份数目15的额配售采选权，若全额利用，刊行总股数将扩大至76.91亿股。
值得属宗旨是，长鑫科技本次刊行开动策略配售数目为33.44亿股，占开动刊行数目的50。其中，377位中枢职工将参与策略配售，遮蔽研发、制造、市集等中枢本领与解决岗亭。
转头长鑫科技的IPO进度，从央求获受理到证监会注册生仅用时165天，进速率远市集平均水平。
2025年7月，长鑫科技启动科创板上市辅，由中金公司与中信建投联保荐；往日10月通过上市辅验收，12月30日IPO央求获上交所受理；2026年3月，长鑫科技IPO曾因财务贵寓到期而中止审核，5月17日完成财务数据新后规复；5月27日其IPO通过上交所上市委审议，6月12日获证监会注册批复。
在快速进IPO进度背后，市集广宽期待长鑫科手段复制国外存储巨头的股价行情。
以韩国两大存储巨头为例，5月6日三星电子市值冲破1500万亿韩元（约6.8万亿东说念主民币），成为继台积电之后二迈入万亿好意思元市值门槛的亚洲科技企业。6月1日三星电子股价涨10常州塑料挤出机，盘中市值涉及2037万亿韩元，这是韩国股市历史前次有单上市公司市值冲破2000万亿韩元大关。6月22日聚焦存储赛说念的SK海力士市值登顶韩国股市，历史前次越三星电子。行动HBM（带宽内存）的主供应商，SK海力士也被本钱市集视为AI算力基础规范建树的大受益者之。
AI催活命储行情涨
本钱市集的历害预期，源于存储芯片正处于AI驱动的景气周期。长鑫科技本年也交出了份远市集预期的增长收货单。
招股书露出，2026年季度，长鑫科技终了生意收入508亿元，同比增长719.13；归母净利润247.62亿元，同比增长1688.3，单季盈利已过2025年全年水平。长鑫科技同期瞻望，2026年上半年终了生意收入1100亿元—1200亿元，同比增长612.53—677.31；归母净利润500亿元—570亿元，同比增长2244.03—2544.19。
而在此前，失掉曾是长鑫科技的策划常态。抑制2025年末，2016年缔造的长鑫科技累计失掉达366.5亿元，直至2025年四季度才终了单季扭亏为盈。
行业景气度也可从国外巨头的事迹中获得印证。三星电子近日发布的2026年二季度事迹引导认知，当季瞻望销售额达171万亿韩元，同比增长129；生意利润达89.4万亿韩元，同比激增1810，相似印证了存储芯片的景气度。
智参智库特聘袁博以为，存储企业本年级迹大幅高潮，塑料挤出机设备本色是AI需求驱动存储芯片供需失衡，是市集需求抓续走与分娩成本抓续下跌的双重复加成果。
他向《中原时报》记者示意，面存储价钱从2025年起抓续上行，叠加市集供不应求，部分渠说念出现芯片错愕囤货征象；另面，长鑫科技不休推论产能、升迁分娩良品率，毛利的端居品销售占比显赫升迁，大幅摊薄了前期大齐参加酿成的固定成本，企业利润率随之走。
TrendForce集邦策动阐彰着示，2026年季度，般型DRAM约价环比高潮93—98，二季度般型DRAM约价环比高潮58—63。
现货端价钱涨幅为惊东说念主。据东吴证券研报，DDR4（8Gb）现货均价从2024年底的约8.1好意思元攀升至2026年6月底的约140好意思元，累计涨幅16倍；DDR5（16Gb）自2025年11月出现现货报价以来，价钱从20好意思元快速高潮至2026年6月底的117.5好意思元，累计涨幅约4.9倍。
巨头环伺下的解围旅途
现时三星、SK海力士、好意思光三大巨头正将大量产能向毛利的HBM等AI存储居品歪斜，长鑫科技正试图收拢这轮产能神气调度的时间窗口。
据Omdia统计，2025年二季度，按DRAM销售额口径统计，长鑫科技民众市占率为3.97，位列民众四；到2026年季度，其市占率已升迁至8。
招股书认知，长鑫科技现在在肥、北京两地布局3座12英寸DRAM晶圆厂。广发证券2026年5月研报认知，抑制2025年末，长鑫科技肥、北京基地DRAM计月产能约28万片（12英寸等）。而在本次IPO规划募资的295亿元中，也有75亿元规划用于存储器晶圆制造量产本领升改良技俩。
不外从民众市集看，三星、SK海力士、好意思光三巨头仍计占据民众DRAM市集九成以上份额。就在长鑫科技冲刺IPO的同期，民众存储产业的遥远竞争神气正发生剧烈变化。
6月29日，韩国政府文牍了项转念民众半体产业的产业规划：三星电子与SK海力士两存储巨头将在韩国西南部参加约800万亿韩元（约5180亿好意思元）建树四座半体晶圆厂，筹画五年内将DRAM分娩才略翻倍。据记者了解，新工场将主攻DDR5、HBM等AI算力中枢存储居品，瞻望2034年至2035年终了量产。
本日，三星电子与SK海力士还各自公布了包括上述晶圆厂投资在内的限制大的中遥远投资规划：前者总投资限制达2665万亿韩元（约11.68万亿元东说念主民币），后者达1100万亿韩元（约4.84万亿元东说念主民币）。
在韩国扩产冲锋之下，长鑫科技该何如解围？
多位业内东说念主士在与本报记者疏通时示意，通用DRAM市集的供给缺口短期内难以弥，长鑫科技仍享有可贵的发展窗口期。此前业界也有音尘称，苹果正在测试长鑫科技的DRAM芯片。
度科技测度院院长张孝荣对本报记者示意，长鑫科技的冲破旅途在于：收拢本轮行业周期，利用巨头产能向HBM等AI存储歪斜致通用存储缺货的窗口期，快速推论DDR4/DDR5等主流居品产能，同期依托国产替代趋势耕原土市集升迁份额，稳重盈利拐点。
而在仍存本领差距的HBM域，袁博对本报记者示意，现在国内存储芯片企业的大短板汇集在HBM域。HBM对制程工艺条目，受EUV光刻机限制影响，国内企业在该域的本领差距至少需要3到5年才智追逐，这进度度依赖国产半体开拓的本领冲破。
对长鑫科技而言，本轮存储行业周期既是事迹红利期，亦然追逐民众梯队的关节窗口期。能否在韩系巨头新增产能落地前完成产能爬坡、本领迭代与供应链自主才略的升，将平直决定它在民众存储行业新神气中的位置。
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